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日前，兆馳半導體公開了一項紫外LED發明專利。該發明專利公開了一種深紫外LED外延片及其制備方法，突破材料、工藝、技術等關鍵難點。
該發明公開了一種深紫外LED外延片及其制備方法、深紫外LED，所述深紫外LED外延片包括襯底及依次層疊于所述襯底上的緩沖層、非摻雜AlGaN層、N型AlGaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型AlGaN層和P型接觸層；
所述P型接觸層包括依次層疊于所述P型AlGaN層上的Mg摻雜BaAlbGa1abN層、BxAlyGa1xyN納米團簇層／Mg摻雜BxAlyGa1xyN層超晶格層。另外提供的深紫外LED外延片能夠提高深紫外LED外延片的光提取效率。
兆馳半導體表示，UV LED目前在光效方面與同族的藍綠光LED相比存在較大差距，特別是在波長向深紫外方向延伸時，光效更低。此外，目前大部分UV波段的EQE普遍低于10％，遠低于目前藍光LED的水平；可靠性差，這主要是由材料質量決定。
近兩年UV LED的外延和芯片技術也已得到了大幅改善，由于藍綠光LED產能過剩和價格壓力，眾多LED廠商轉向UV LED，尋求新的增長動力和更高的利潤率。未來的LED市場可能被劃分為兩部分：一部分是面向通用照明的可見光LED，另一類則是以高科技創新為特色的紫外LED。
兆馳半導體同樣表示，目前UV LED外延和芯片在制造過程中仍存在難點：
如Al原子表面遷移率低并且擴散非常困難，同時具有較高的表面吸附能力，隨著PM周期增加，由于TMAL和NH3有很強的預反應，導致SH表面coating嚴重，表面呈現黑色并附著力強，進而導致反應腔內溫度均勻性和波動較大。
又如首先高質量的N－ALGAN較難獲得。若在GAN上生長，ALGAN是受張應力的作用，張應力會導致ALGAN產生龜裂。若在ALN上生長ALGAN，由于AlN晶體質量較差，較難獲得較高質量的ALGAN晶體。
其次，ALGAN摻雜困難，特別是P－ALGAN很難獲得高載流子濃度和遷移率，這就會導致ALGAN UV LED的電子和空穴的注入很不均勻，引起了過剩電子的泄露等諸多負面效應。最后，由于氮化物材料體系內的晶格不匹配，ALGAN有源區內也存在QCSE效應它降低了有源區的輻射復合效率。
