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業內首創,天岳先進公布 8 英寸碳化硅襯底最新技術
時間:2023-07-03 15:11:56來源:同花順財經
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7 月 3 日消息,天岳先進攜 8 英寸碳化硅襯底最新技術動態亮相 Semicon China 展會,公開了最新進展。
注:上海半導體展 Semicon 是全球規模最大、最具影響力的半導體專業展,覆蓋芯片設計、制造、封測、設備、材料、光伏、顯示等產業。
公司 CTO 高超博士介紹,目前公司以 6 英寸導電型碳化硅襯底為主,上海臨港(600848)工廠已經進入產品交付階段,8 英寸產品也已經具備產業化能力。
近日,天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的 8 英寸晶體,通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題,尚屬業內首創。除了產品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破 60mm。
據了解,6 英寸碳化硅晶片仍是市場主流產品,8 英寸襯底正成為技術演化方向,Wolfspeed、ROHM、英飛凌等國際大廠已先后布局。8 英寸的面積較 6 英寸增加了約 78%,同等條件下從 8 英寸襯底切出的芯片數將提升近 90%,可將單位綜合成本降低 50%。
天岳先進在今年 5 月與英飛凌簽訂一項新的晶圓和晶錠供應協議,供貨碳化硅 6 英寸襯底、合作制備 8 英寸襯底。
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